TSMC, aggiornamenti sulle roadmap per i 16nm e i 10nm

Written By Unknown on Kamis, 09 April 2015 | 23.04

La fonderia taiwanese TSMC ha annunciato i piani per il debutto di una nuova versione, più compatta ed energicamente meno dispendiosa, del processo FinFET a 16 nanometri e ha svelato la tabella di marcia per i nodi di processo futuri. La compagnia intanto avvierà la produzione in volumi del processo 16nm FinFET Plus (16FF+) nel corso della metà dell'anno e a partire dal prossimo anno avvierà le operazioni di un nuovo stabilimento che si concentrerà sulla produzione a 10 nanometri. A darne notizia è il sito web EEtimes.

TSMC afferma che i chip prodotti utilizzando il processo 16FF+ saranno contraddistinti da prestazioni superiori del 10% rispetto ai nodi concorrenti, consumeranno il 50% in meno di un SoC da 20nm e avranno un cycle time doppio rispetto a quello dei chip a 20 nanometri. La fonderia avrà oltre 50 tape-out entro la fine dell'anno che copriranno processori applicativi, GPU, processori per il campo automotive e networking.

Mark Liu, co-CEO di TSMC, ha inoltre osservato che l'azienda ha collaborato con ARM su un processore Cortex-A72 che fa leva sul processo 16FF+ per ottenere prestazioni 3,5 volte superiori rispetto ad un processore Cortex A-15 (alla base di NVIDIA Tegra 5 e Samsung Exynos 5 e prodotto a 32/28nm con possibilità di arrivare a 22nm) consumando al contempo il 75% in meno di energia. TSMC e ARM continueranno a collaborare anche sulla prossima generazione di processi produttivi.

La compagnia ha inoltre sviluppato il prcesso 16FFC, una versione più compatta, per i prodotti consumer, dispositivi wearables e smartphone di fascia media e bassa. Questo processo riduce il consumo energetico del 50% rispetto a quanto possibile con le soluzioni attuali e i tapeout dei prodotti sono attesi nella seconda metà del 2016.

Mentre la tecnologia TSMC a 16 nanometri arriverà comunque non prima dell'estate, la compagnia ha già illustrato le tempistiche indicative per il processo a 10 nanometri. Questo processo avrà una densità più che doppia rispetto al processo a 16 nanometri assieme ad un guadagno di prestazioni del 20% e ad una riduzione dei consumi del 40%. TSMC ha già dato dimostrazione di un chip SRAM da 256MB realizzato con questo processo. L'azienda taiwanese si aspetta di poter essere in produzione entro la fine del 2016, per la produzione in volumi nella prima parte del 2017.


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